Direct Analysis of Trace Metallic Impurities in High Purity Hydrochloric Acid by 7700s/7900 ICP-MS

Aplikace | 2017 | Agilent TechnologiesInstrumentace
ICP/MS
Zaměření
Průmysl a chemie
Výrobce
Agilent Technologies

Význam tématu


Hydrochloridova kyselina vysoké cistoty je klicova v ocistnych postupech semiconductoroveho prumyslu zejmena pri odstraňovani kovovych znečisteni povrchu kremikovych desek
Presne stanovení stopovych kovu v agresivnim matrixu HCl je zásadní pro udržení kvality vyrobnich kroku a minimalizaci kontaminace dalseho procesu
Eliminace diluce vzorku přinasi vyssi integritu dat a snizuje riziko kontaminace

Cíle a přehled studie


Cilem studie je demonstrovat vykon a robustnost ICP MS Agilent 7700s 7900 s Octopole Reaction System pro priame stanovení stopovych kovu v 20 procentni HCl
Studie se zameruje na odstranění polyatomovych interferenci a dosazeni nejnizsich detekcnich limitu bez diluce vzorku

Použitá metodika a instrumentace


  • Priamy vdech nedilutovane HCl do ICP MS bez pouziti pripravných kroků
  • Kalibrace standardy 10 20 50 a 100 ppt ve kyselinovem blanku
  • Agilent 7700s ICP MS s Octopole Reaction System vybavenym koliznimi a reakcnimi plyny helium vodik a volitelny amoniak
  • Vzorkovaci system s platinovymi trykama PFA nebulizator a kremenna hořakova sestava
  • Mereni 42 prvku s kombinaci rezimu cool plasma no gas helium a amoniak pro kinetickou diskriminaci a CID

Hlavní výsledky a diskuse


Detekcni limity se pohybují v rozsahu od 0.01 do nekolika ppt s velmi nizkymi BEC
Odstraneni interferenci bylo overeno u klicech prvku
  • Chrom stanoveny v rezimu cool plasma a helium pro eliminaci ClOH
  • Pota sium odstraneni HCl interference amoniakem v cool plasma
  • Germanium a arsen degradace polyatomovych druhu vysokou energií helium v ORS
  • Vanad s amoniakem ve standardnim plasma rezimu pro zvyseni reakcnı cinnosti

Přínosy a praktické využití metody


Metoda redukuje pripravne kroky a minimalizuje kontaminaci vzorku
Flexibilní prace s vice plyny umoznuje spolehlive monitorovani stopovych kovu v semiconductorove vyrobe a jiných agresivnich matrixich

Budoucí trendy a možnosti využití


Ocekavany vyvoj specializovanych cell plynů pro dalsi matice optimalizace parametru ORS dalši automatizace a integrace s laboratorními informacnimi systemy pro vyssi efektivitu a sledovatelnost dat

Závěr


Agilent 7700s 7900 ICP MS s Octopole Reaction System ukazal vynikajici schopnost odstraneni polyatomovych interferenci pri priame analyze koncentrovane HCl
Dosazene nizke detekcni limity a zjednoduseny postup pripravy podtrhuji vhodnost metody pro prumyslovou kontrolu kvality

Reference


  1. Takahashi J Mizobuchi K Use of Collision Reaction Cell under Cool Plasma Conditions in ICP MS Asia Pacific Winter Conference on Plasma Spectroscopy 2008
  2. Colbourne D Frost DC McDowell CA Westwood NPC Journal of Chemical Physics 1978 68 3574
  3. Huber KP Herzberg G Constants of Diatomic Molecules Van Nostrand Reinhold Co 1979

Obsah byl automaticky vytvořen z originálního PDF dokumentu pomocí AI a může obsahovat nepřesnosti.

PDF verze ke stažení a čtení
 

Podobná PDF

Analysis of Trace Metal Impurities in High Purity Hydrochloric Acid Using ICP-QQQ
Basic Performance of the Agilent 7700s ICP-MS for the Analysis of Semiconductor Samples
Technical Overview and Performance Capability of the Agilent 7900s ICP-MS for Semiconductor Applications
Measuring Inorganic Impurities in Semiconductor Manufacturing